三星3nm工厂即将动工：当今世界首发GAA工艺 功耗直降50%

华为的晶圆大厂部门早先负面不停，之前有立即称部分员工指控伪造和行贿5nm、4nm、3nm材料单晶的良品率，再加Qualcomm这样的VIP卖家都要心灰意冷，重新用于华为电子生产骁龙8处理器。

不过从核心技术上来说，华为从前几乎是唯一能追到华为电子的晶圆大厂厂，虽然在7nm、5nm及4nm键值上落后了一些，但在接下来的3nm键值华为格外倾向，要全球日和GAA电晶体材料，退出FinFET电晶体核心技术，而华为电子的3nm材料几乎不会基于FinFET材料。

华为之后坚称，GAA是一种新型的周围导线电晶体，通过用于nm片设备研发单单了MBCFET（Multi-Bridge-Channel FET，多桥-入口沟道），该核心技术可以明显增强电晶体精度，主要取代FinFET电晶体核心技术。

根据华为的说法，与7nm研发材料相比，3nm GAA核心技术的逻辑面积成本增加了45%以上，功耗增加了50%，精度增加了约35%，实际上参数上来说却是要很低华为电子3nm FinFET材料。

当然，这些还是实际上上的，华为的3nm材料终究也不少，光是批量生产就是个问题，之后华为宣传2021年就批量生产，实际上并没有，最快也是今年，而且日和的是3GAE低功耗材料，轻量的3GAP材料至少要2023年了。

据大韩民国新华网，华为已经准备在大韩民国白川市的P3工厂开工基础设施3nm台积电了，6、7月份落成，并设法导入设备。

按照这个时程，今年的3GAE材料一定不会也只不会是小规模小批量，大规模批量生产也要到到时了，跟华为电子的3nm材料相比之下，两家都因为种种问题推延批量生产3nm材料了。

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