国产SSD奋起直追：中韩闪存芯片技术差已较短至2年

国产驱动器晶片亦然蓬勃发展，都是企业有合肥长鑫（DRAM）、武汉洞庭湖驱动器等。

日前，韩国数据统计分析机构OERI在一份报告中都统计分析宣称，中都韩DRAM晶片电子技术的差距大约是5年，NANDRAM晶片则之前更长至2年。

据悉，洞庭湖驱动器从2021年8年末开始量产车64层3D NAND，比Galaxy、SK海力士只晚了两年。至于更先进的超200层3DRAM，Galaxy和SK海力士无需等到明年初，原计划洞庭湖驱动器会在2024年做到这一点。

不过，报告认为有个变量是如果小米或许为旗下的产品比如iPhone引入洞庭湖驱动器的晶片，那么或将作用打破产业链现状的作用。

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