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传联电22nm高压晶圆最快明年首季试产验证
发布时间：2025-11-07
集微网立即，据台媒《信报》媒体报道，联电与三星电子合作开发的22nm冷却MOS破纪录明年首11集开始试产实验者，而会将为三星电子代工新的OLED驱动IC。
图源：信报已为，联电方面证实，22nm冷却MOS自始订定客户需求开发之中，但能够告知客户名称。台媒统计分析称目前OLED驱动IC厂商之中仅有三星电子有能力导入联电的22nm冷却MOS，破纪录明年第111集开始小量试产实验者，中后期产能数千片，之后逐步放大至数万片。
该媒体报道宣称，联电22nmMOS与取而代之28nmMOS相比，能够裁减10％的薄膜总长度，且拥有愈来愈高功率稳定性比和愈来愈强的射频稳定性。22nm冷却MOS则从取而代之可拥护的1.8V／3.3V／5V／8V减少至最主要到10V／18V。
（校对/Yuki）
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